Ნაწილი ნომერი :
IPD60R2K1CEBTMA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
2.3A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 Ohm @ 760mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 60µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
6.7nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
140pF @ 100V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
22W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-252-3
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63