Ნაწილი ნომერი :
APTM50UM13SAG
მწარმოებელი :
Microsemi Corporation
აღწერა :
MOSFET N-CH 500V 335A SP6
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
335A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 167.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 20mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
800nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
42200pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
3290W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SP6