Ნაწილი ნომერი :
BSC080P03LSGAUMA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
ნაწილის სტატუსი :
Not For New Designs
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
16A (Ta), 30A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
122.4nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
6140pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.5W (Ta), 89W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TDSON-8
პაკეტი / საქმე :
8-PowerTDFN