[1917ცალი საფონდო]
- Ნაწილი ნომერი:
- CLS01(TE16L,PAS,Q)
- მწარმოებელი:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE SCHOTTKY 30V 10A L-FLAT.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CLS01(TE16L,PAS,Q) electronic components. CLS01(TE16L,PAS,Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CLS01(TE16L,PAS,Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CLS01(TE16L,PAS,Q) პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
CLS01(TE16L,PAS,Q)
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
DIODE SCHOTTKY 30V 10A L-FLAT
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
დიოდის ტიპი :
Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
30V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
10A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
0.47V @ 10A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
1mA @ 30V
Capacitance @ Vr, F :
530pF @ 10V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
L-FLAT™
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
L-FLAT™ (4x5.5)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-40°C ~ 125°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
VS-8EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns
-
VS-6EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns
-
VS-8EWF12STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-15EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns
-
VS-8EWS08STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-16EDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 600V FRED Pt AEC-Q101
ცხელი ნაწილები
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08
选择你的位置