Diodes Incorporated - DMN61D8L-13

KEY Part #: K6394549

DMN61D8L-13 ფასები (აშშ დოლარი) [598843ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.06177
  • 10,000 pcs$0.05488

Ნაწილი ნომერი:
DMN61D8L-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMN61D8L-13 electronic components. DMN61D8L-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN61D8L-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN61D8L-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMN61D8L-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 470mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 3V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 0.74nC @ 5V
Vgs (მაქს) : ±12V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 12.9pF @ 12V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 390mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ