Ნაწილი ნომერი :
IXFK32N80Q3
აღწერა :
MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
32A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
140nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
6940pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1000W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-264AA (IXFK)
პაკეტი / საქმე :
TO-264-3, TO-264AA