Diodes Incorporated - GBJ2010-F

KEY Part #: K6540353

GBJ2010-F ფასები (აშშ დოლარი) [38804ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.94909
  • 15 pcs$0.85320
  • 105 pcs$0.68573
  • 510 pcs$0.56339
  • 1,005 pcs$0.46681

Ნაწილი ნომერი:
GBJ2010-F
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ. Bridge Rectifiers 1000V 20A
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated GBJ2010-F electronic components. GBJ2010-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBJ2010-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBJ2010-F პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GBJ2010-F
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 1kV
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 20A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.05V @ 10A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 1000V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-SIP, GBJ
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : GBJ

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GBPC3504W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 400 Volt 35 Amp

  • GBPC2502W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 200 Volt

  • GBPC2510W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 1000 Volt

  • DBL107G C1G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBL. Bridge Rectifiers 1A,1000V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

  • DBL106G C1G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL. Bridge Rectifiers 1A,800V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

  • TS25P07G D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A TS-6P. Bridge Rectifiers 25A 1000V Standard Bridge Rectif