SE20PAJ-M3/I ფასები (აშშ დოლარი) [731549ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.05056
- 3,500 pcs$0.04659
- 7,000 pcs$0.04377
- 10,500 pcs$0.04095
- 24,500 pcs$0.03765
- Ნაწილი ნომერი:
- SE20PAJ-M3/I
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 600V 1.6A DO220AA. Rectifiers 2A, 600V, ESD PROTECTION, SMPA
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტირისტორები - TRIACs ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE20PAJ-M3/I electronic components. SE20PAJ-M3/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE20PAJ-M3/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SE20PAJ-M3/I პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
SE20PAJ-M3/I
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 600V 1.6A DO220AA
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1.6A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.05V @ 2A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
1.2µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
13pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-220AA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-220AA (SMP)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
BAS19-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 120V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
C3D10060G
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
-
VS-50WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
ცხელი ნაწილები
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18
选择你的位置