Infineon Technologies - IPD033N06NATMA1

KEY Part #: K6419433

IPD033N06NATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [111859ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.33066
  • 2,500 pcs$0.30335

Ნაწილი ნომერი:
IPD033N06NATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPD033N06NATMA1 electronic components. IPD033N06NATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD033N06NATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD033N06NATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPD033N06NATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 50µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3400pF @ 30V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 107W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO252-3
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ