Vishay Semiconductor Diodes Division - PB3508-E3/45

KEY Part #: K6540599

PB3508-E3/45 ფასები (აშშ დოლარი) [28253ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.28684
  • 10 pcs$1.09459
  • 25 pcs$1.03488
  • 100 pcs$0.89682
  • 250 pcs$0.85083
  • 500 pcs$0.76345
  • 1,000 pcs$0.64387
  • 2,500 pcs$0.61168
  • 5,000 pcs$0.58868

Ნაწილი ნომერი:
PB3508-E3/45
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1P 800V 35A PB. Bridge Rectifiers 35A,800V Enhanced Power Bridge
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - სკკ, Thististors - DIACs, SIDACs and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division PB3508-E3/45 electronic components. PB3508-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PB3508-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PB3508-E3/45 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : PB3508-E3/45
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : BRIDGE RECT 1P 800V 35A PB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 35A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 17.5A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 800V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-ESIP, PB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : isoCINK+™ PB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GBPC3512W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1200 Volt 35 Amp

  • GBPC3504W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 400 Volt

  • TSS4B03G D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 200V Sup Fst Rec Rect

  • TS10KL80 D3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBJL. Bridge Rectifiers 10A 800V Standard Bridge Rectif

  • D2SB60 D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL. Bridge Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt 80 Amp IFSM

  • TS6P05G D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P. Bridge Rectifiers 6A 600V Standard Bridge Rectif