Microsemi Corporation - UES1102SM

KEY Part #: K6440107

UES1102SM ფასები (აშშ დოლარი) [3770ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$12.53226
  • 10 pcs$11.59130
  • 25 pcs$10.65164
  • 100 pcs$9.89975
  • 250 pcs$9.08522

Ნაწილი ნომერი:
UES1102SM
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 100V 2.5A A-MELF. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation UES1102SM electronic components. UES1102SM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UES1102SM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UES1102SM პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : UES1102SM
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 100V 2.5A A-MELF
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 2.5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : -
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 25ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : 3.5pF @ 6V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, A
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : A-MELF
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAV19W-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 200mA 50ns 1A IFSM

  • BAV20W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM

  • SD103CW-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 20V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 20Volt 15A IFSM AUTO

  • 1N4148W-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 150mA 4ns 500mA IFSM

  • BAS16D-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 250mA 6ns 500mA IFSM

  • SD101AW-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM