Panasonic Electronic Components - DA2S10100L

KEY Part #: K6457777

DA2S10100L ფასები (აშშ დოლარი) [2227761ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.01660
  • 3,000 pcs$0.01387
  • 6,000 pcs$0.01251
  • 15,000 pcs$0.01088
  • 30,000 pcs$0.00979
  • 75,000 pcs$0.00870
  • 150,000 pcs$0.00725

Ნაწილი ნომერი:
DA2S10100L
მწარმოებელი:
Panasonic Electronic Components
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 80V 100MA SSMINI2.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Panasonic Electronic Components DA2S10100L electronic components. DA2S10100L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DA2S10100L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DA2S10100L პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DA2S10100L
მწარმოებელი : Panasonic Electronic Components
აღწერა : DIODE GEN PURP 80V 100MA SSMINI2
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 80V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 100mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.2V @ 100mA
სიჩქარე : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 3ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100nA @ 75V
Capacitance @ Vr, F : 1.2pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SC-79, SOD-523
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SSMini2-F5-B
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • BYM07-400-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 400 Volt

  • EGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 100 Volt 50ns

  • BYM07-150-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 150 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated