IXYS - IXFT70N30Q3

KEY Part #: K6396110

IXFT70N30Q3 ფასები (აშშ დოლარი) [5937ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$8.39036
  • 10 pcs$7.25745
  • 100 pcs$6.16883

Ნაწილი ნომერი:
IXFT70N30Q3
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 300V 70A TO-268.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFT70N30Q3 electronic components. IXFT70N30Q3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT70N30Q3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT70N30Q3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFT70N30Q3
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 300V 70A TO-268
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 300V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 70A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4735pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 830W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-268
პაკეტი / საქმე : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ