Vishay Siliconix - SI7818DN-T1-GE3

KEY Part #: K6405357

SI7818DN-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [118801ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.31134
  • 3,000 pcs$0.29235

Ნაწილი ნომერი:
SI7818DN-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - SCRs - მოდულები, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI7818DN-T1-GE3 electronic components. SI7818DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7818DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7818DN-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI7818DN-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 150V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.2A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 135 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.5W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 1212-8
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® 1212-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ