Vishay Siliconix - SIHJ7N65E-T1-GE3

KEY Part #: K6405372

SIHJ7N65E-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [71259ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.54871
  • 3,000 pcs$0.51409

Ნაწილი ნომერი:
SIHJ7N65E-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - DIACs, SIDACs and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIHJ7N65E-T1-GE3 electronic components. SIHJ7N65E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHJ7N65E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHJ7N65E-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIHJ7N65E-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 7.9A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 598 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 820pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 96W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ